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IRLR4343-701PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRLR4343-701PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)	79W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I-PAK (LF701)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V