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IRLS3813PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRLS3813PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95mOhm @ 148A, 10V
Dissipação de energia (Max)	195W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8020pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V