Image is for reference only , details as Specifications

ISS55EP06LMXTSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	ISS55EP06LMXTSA1
Descrição:	MOSFET P-CH 60V SOT23-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	P-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5Ohm @ 180mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	400mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-SOT23-3-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	590pC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	18pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V