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SPB21N10 G
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | SPB21N10 G |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | SIPMOS® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 44µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 90W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO263-3-2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.4nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 25V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 84 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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