A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SPU02N60C3BKMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SPU02N60C3BKMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	25W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V