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MT41K512M8V00HWC1
| Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Memory |
| Folha de dados: | MT41K512M8V00HWC1 |
| Descrição: | IC DRAM 4G PARALLEL DIE |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produto | Memory |
| Série | - |
| Embalagem | - |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
| Tipo de memória | Volatile |
| Parte Status | Active |
| Formato de memória | DRAM |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / Caso | - |
| Interface da memória | Parallel |
| Tensão - Fornecimento | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura operacional | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
| Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página | - |
Em estoque 87 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.73 | $10.52 | $10.31 |
Mínimo: 1
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