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MT47H512M4EB-3:C
| Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Memory |
| Folha de dados: | MT47H512M4EB-3:C |
| Descrição: | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produto | Memory |
| Série | - |
| Embalagem | Tray |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Tempo de acesso | 450ps |
| Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
| Tipo de memória | Volatile |
| Parte Status | Obsolete |
| Formato de memória | DRAM |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 60-TFBGA |
| Frequência do relógio | 333MHz |
| Número da parte base | MT47H512M4 |
| Interface da memória | Parallel |
| Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura operacional | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 60-FBGA (9x11.5) |
| Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página | 15ns |
Em estoque 55 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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