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TPS1100DR

Fabricantes: NA
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPS1100DR
Descrição: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NA
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) +2V, -15V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 791mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V

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