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A2G35S200-01SR3
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Folha de dados: | A2G35S200-01SR3 |
| Descrição: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ganhar | 16.1dB |
| Série | - |
| Freqüência | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Parte Status | Active |
| Figura de ruído | - |
| Atual - Teste | 291mA |
| Pacote / Caso | NI-400S-2S |
| Potência - Saída | 180W |
| Tensão - Teste | 48V |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Tensão - Avaliado | 125V |
| Classificação atual (Amps) | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | NI-400S-2S |
Em estoque 246 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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