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BFG10W/X,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Folha de dados: BFG10W/X,115
Descrição: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar -
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 400mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-343 Reverse Pinning
Tipo de transistor NPN
Número da parte base BFG10
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Frequência - Transição 1.9GHz
Pacote de dispositivos de fornecedores 4-SO
Figura do ruído (dB Typ @ f) -
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 250mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 10V

Em estoque 50 pcs

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