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BUK9E04-30B,127

Fabricantes:	NXP USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BUK9E04-30B,127
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NXP USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±15V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max)	254W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6526pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V