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PHB110NQ06LT,118

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: PHB110NQ06LT,118
Descrição: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±15V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 200W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3960pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 70 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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