PHB38N02LT,118
Fabricantes: | NXP USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | PHB38N02LT,118 |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | 12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 25A, 5V |
Dissipação de energia (Max) | 57.6W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D2PAK |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 44.7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 5V |
Em estoque 93 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1