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PHK28NQ03LT,518

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: PHK28NQ03LT,518
Descrição: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max) 6.25W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.3nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 23.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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