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PHM12NQ20T,518

Fabricantes:	NXP USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PHM12NQ20T,518
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NXP USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)	62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HVSON (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1230pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	14.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V