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PHU11NQ10T,127

Fabricantes:	NXP USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PHU11NQ10T,127
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NXP USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	57.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V