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PHX8NQ11T,127

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: PHX8NQ11T,127
Descrição: MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 27.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 110V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 78 pcs

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