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PMDPB95XNE,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: PMDPB95XNE,115
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 475mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN2020-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.4A

Em estoque 88 pcs

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