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PMV117EN,215

Fabricantes:	NXP USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PMV117EN,215
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NXP USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Temperatura operacional	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	830mW (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	147pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V