PMV65UN,215
Fabricantes: | NXP USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | PMV65UN,215 |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 310mW (Ta), 2.17W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-236AB (SOT23) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 183pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 82 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1