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PSMN8R0-30YL,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: PSMN8R0-30YL,115
Descrição: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-100, SOT-669
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max) 56W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1005pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 56 pcs

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