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BC857C/DG/B3,215
| Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Folha de dados: | BC857C/DG/B3,215 |
| Descrição: | TRANS GEN PURPOSE TO-236AB |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Série | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 250mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de transistor | PNP |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 100MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-236AB |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 45V |
Em estoque 73 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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