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BC857C/DG/B3,215

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: BC857C/DG/B3,215
Descrição: TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 100MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236AB
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 15nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 45V

Em estoque 73 pcs

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