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BCM857QASZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: BCM857QASZ
Descrição: BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série Automotive, AEC-Q101
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 350mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor 2 PNP (Dual) Matched Pair
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 175MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN1010B-6
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 15nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 45V

Em estoque 3900 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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