PDTD123EQAZ
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Folha de dados: | PDTD123EQAZ |
Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 3DFN |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Série | Automotive, AEC-Q101 |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 325mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Frequência - Transição | 210MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DFN1010D-3 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 2.2 kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 500mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 94 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.05 | $0.05 | $0.05 |
Mínimo: 1