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PEMD6,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: PEMD6,115
Descrição: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base P*MD6
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-666
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 1µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 52 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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