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PHKD13N03LT,518

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: PHKD13N03LT,518
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchMOS™
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 3.57W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 10.4A

Em estoque 72 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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