PHT6NQ10T,135
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | PHT6NQ10T,135 |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Temperatura operacional | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-73 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 13985 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1