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PMBT3904RAZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: PMBT3904RAZ
Descrição: PMBT3904RA/SOT1268/DFN1412-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Parte Status Active
Potência - Máximo 480mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 300MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN1412-6
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 200mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 50nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 40V

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