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PMDPB30XN,115

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	PMDPB30XN,115
Descrição:	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	490mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 3A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-HUSON-EP (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.7nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4A