PMDT290UCE,115
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | PMDT290UCE,115 |
Descrição: | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Fet tipo | N and P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-666 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 800mA, 550mA |
Em estoque 51228 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1