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PMDXB600UNEZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: PMDXB600UNEZ
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 265mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN1010B-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 600mA

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