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PMPB215ENEAX

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PMPB215ENEAX
Descrição:	MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 1.9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DFN2020MD-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V