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PSMN102-200Y,115

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PSMN102-200Y,115
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SC-100, SOT-669
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)	113W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1568pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	21.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V