Image is for reference only , details as Specifications

PSMN6R3-120ESQ

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PSMN6R3-120ESQ
Descrição:	MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max)	405W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	207.1nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	120V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11384pF @ 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V