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2N2906

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2N2906
Descrição: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 400mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Tipo de transistor PNP
Número da parte base 2N2906
Temperatura operacional -
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-18
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 600mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 40V

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