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2N6052G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2N6052G
Descrição: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tray
Parte Status Active
Potência - Máximo 150W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-204AA, TO-3
Tipo de transistor PNP - Darlington
Número da parte base 2N6052
Temperatura operacional -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-204 (TO-3)
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 12A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 6A, 3V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

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