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2N6387G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2N6387G
Descrição: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base 2N6387
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 10A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 3V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 60V

Em estoque 39 pcs

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