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2SB1216T-E

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SB1216T-E
Descrição: TRANS PNP 100V 4A TP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor PNP
Número da parte base 2SB1216
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 130MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TP
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 4A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

Em estoque 57 pcs

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