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2SB817C-1E

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SB817C-1E
Descrição: TRANS PNP 140V 12A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Last Time Buy
Potência - Máximo 120W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 10MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3P-3L
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 12A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 140V

Em estoque 59 pcs

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