2SK3666-3-TB-E
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - JFETs |
Folha de dados: | 2SK3666-3-TB-E |
Descrição: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - JFETs |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Número da parte base | 2SK3666 |
Resistência - RDS (on) | 200 Ohms |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 3-CP |
Dreno atual (Id) - Máximo | 10mA |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Tensão - Corte (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
Atual - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Em estoque 1853 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1