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2SK3666-3-TB-E

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - JFETs
Folha de dados: 2SK3666-3-TB-E
Descrição: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - JFETs
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número da parte base 2SK3666
Resistência - RDS (on) 200 Ohms
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores 3-CP
Dreno atual (Id) - Máximo 10mA
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Tensão - Corte (VGS off) @ Id 180mV @ 1µA
Atual - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V

Em estoque 1853 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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