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BC517_J35Z

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: BC517_J35Z
Descrição: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 625mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base BC517
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-92-3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 1.2A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 30V

Em estoque 99 pcs

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