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BUB323ZG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: BUB323ZG
Descrição: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 150W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base BUB323
Temperatura operacional -65°C ~ 175°C (TJ)
Frequência - Transição 2MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores D2PAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 250mA, 10A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 10A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 5A, 4.6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 350V

Em estoque 195 pcs

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