EMF18XV6T5G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Folha de dados: | EMF18XV6T5G |
Descrição: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Número da parte base | EMF |
Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
Frequência - Transição | 140MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-563 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 47kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V, 60V |
Em estoque 92 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.13 | $0.13 | $0.12 |
Mínimo: 1