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EMF18XV6T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: EMF18XV6T5G
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 500mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Número da parte base EMF
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Frequência - Transição 140MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-563
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V, 60V

Em estoque 92 pcs

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