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FCD4N60TM_WS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FCD4N60TM_WS
Descrição: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série SuperFET™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número da parte base FCD4N60
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max) 50W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 88 pcs

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