A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

FDB035AN06A0

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDB035AN06A0
Descrição: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 310W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 22A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Em estoque 4800 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.96 $2.90 $2.84
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
STB46N30M5
STMicroelectronics
$3.83
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IXTA26P20P
IXYS
$4.9