FDB86360_SN00307
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | FDB86360_SN00307 |
Descrição: | MOSFET N-CH 80V |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Fet tipo | N-Channel |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 333W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D²PAK (TO-263AB) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 253nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 80V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14600pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 96 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1