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FDB86363-F085

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDB86363-F085
Descrição:	MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)	300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10000pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V