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FDB8870-F085

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: FDB8870-F085
Descrição: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max) 160W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 23A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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