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FDC2612

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDC2612
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	725mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.6W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V