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FDC3601N

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: FDC3601N
Descrição: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série PowerTrench®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Standard
Parte Status Active
Potência - Máximo 700mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A

Em estoque 87 pcs

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